Semua orang tahu bahwa tabung tunggal IGBT cukup rapuh, tabung tunggal IGBT kapasitas arus yang sama, lebih dari kapasitas arus yang sama, MOSFET rapuh, yaitu, di jembatan H pembalik, tidak ada masalah, tetapi IGBT, mungkin Bootnya diledakkan. Hal ini membuat banyak orang memperkirakan. Saat itu saya melihat sobat mesin ikan dengan FGH25N120and, yang mencerminkan mudah terbakar, dan tidak memikirkannya.
Hanya ketika saya sedang bekerja, saya menemukan IGBT, saya menemukan saya gagal. Saya benar-benar berpikir bahwa MOSFET IRFP460, 20A / 500V, saya menggunakan IGBT SGH40N60UFD40A / 600V? Itu tidak akan meledak, tetapi situasi sebenarnya adalah, setelah memuat, tiba-tiba menambah beban dan mencabut beban, itu dihembuskan beberapa kali, saya pikir itu tidak dilas, dan kemudian diubah, itu diterbangkan, jadi putih putih Limbah banyak IGBTnya.
Belakangan ditemukan beberapa undang-undang, yaitu tindakan menggunakan proteksi arus puncak dapat membuat IGBT tidak meledak, saya akan menceritakan hal-hal ini secara rinci, saya tidak ingin memaafkan.
Kami melihat pertanyaan ini beberapa bagian untuk dipecahkan: 1, rangkaian penggerak; 2, arus pengumpulan saat ini; 3, mekanisme perlindungan; Pertama, rangkaian penggerak IGBT yang digunakan kali ini adalah ixys, IXGH48N60B3D1, spesifikasi detailnya adalah sebagai berikut: IXGH48N60B3D1 Rangkaian penggeraknya adalah sebagai berikut: Ini adalah rangkaian aplikasi yang sangat khas, yang dapat digunakan di IGBT atau MOSFET, tetapi ada sedikit berbeda.
1, ada sirkuit pembangkit tekanan negatif, 2, drive terisolasi, 3. Catu daya secara terpisah.
Pertama mari kita lihat, rangkaian ini tidak dilindungi, digunakan di inverter 100%, tetapi kita dapat menghapus esensi dari rangkaian ini.
Mari kita bicarakan dulu: 1: Drive resistor R2, ini sangat penting dalam mengemudi, dan D1 ditutup, dan CGE IGBT dengan cepat habis. Hal ini sebenarnya diperlukan, dan D1 ini tidak bisa, atau di loop D1. Resistor adalah resistansi gerbang ketika 0FF ditutup.
Beberapa foto bentuk gelombang, resistor gerbang yang berbeda, dan HV + 400V tegangan tinggi, situasi sebenarnya dari gerbang IGBT atas dan bawah.
Gambar di atas adalah bahwa ketika tekanan negatif dibatalkan, bentuk gelombang gerbang antara 2 tabung atas dan bawah dalam kasus 10R.
Gambar di atas adalah bentuk gelombang kutub G 2 tabung tanpa menambahkan DC400V, dan gambar di bawah adalah bentuk gelombang gerbang dari 2 tabung dalam kasus DC400V.
Mengapa akan ada lonjakan? Ini harus dikatakan dari situasi internal IGBT, sederhananya, ada kapasitor parasit pada IGBT GE, yang menggabungkan kapasitas parasit CGC lain untuk membentuk kumpulan, yaitu QG, pada kenyataannya, ini dan MOSFET juga sangat Suka .
Jadi mari kita lihat mengapa 400V ditambah, Anda akan menghasilkan paku pada level G pada tabung. Ambil bunga untuk menunjukkan seorang Buddha, tangkap gambar untuk menjelaskan: Seperti yang ditunjukkan pada gambar di atas, ketika pejabat tinggi dibuka, itu ditutup. Karena pembukaan resmi, kali ini untuk memperkenalkan konsep DV / DT, ini abstrak, tidak peduli apa, pepatah sederhana dan populer adalah membuka manajemen Pada saat itu, lebih tinggi setara dengan melewati, + DC400V tegangan segera ditambahkan ke Kelas C di bawah tabung, jadi tegangan tinggi segera dengan menghasilkan arus induksi, arus induksi ini dihitung pada rumus, ini Di bawah aksi umum resistansi RG dan resistansi internal penggerak, tegangan lonjakan terbentuk di gerbang tabung bawah, seperti yang ditunjukkan pada tangkapan layar osiloskop di atas. Sejauh ini, tidak ada konsep kapasitansi Miller, memahami ini, dan kemudian melihat spesifikasinya, apa itu kapasitor Miller, apa dampaknya pada rangkaian, mudah dipahami.
Lonjakan ini memiliki banyak situs buruk. Dari screenshot osiloskop di atas, terlihat pada spike, tabung sebenarnya sudah mencapai tegangan 7V, yaitu pada periode spike ini, dua tabung atas dan bawah biasanya dinyalakan. Tabung korsleting, tetapi karena ada waktu TON, arus ini tidak terlalu besar. Pipa tidak meledak, tetapi akan memanaskannya. Dengan semakin besar daya transmisi, keadaan ini akan semakin serius dan sangat mempengaruhi efisiensi.
Awalnya, perlu untuk mengeluarkan foto seperti gelombang setelah penambahan tekanan negatif, dan tekanan negatif dapat membuat lonjakan ini dalam kisaran level yang aman. Osiloskop membutuhkan disk U untuk memandu grafik, yang jelas, hari ini terkunci dan tidak menyentuh instrumen, lalu naik lagi.
Kedua, rangkaian pengumpul arus Berbicara tentang langkah ini, tidak jauh dari perlindungan. Pengalaman saya bahwa kecepatan pengumpulan arus sangat cepat, sehingga saya dapat dengan cepat memberi tahu sirkuit setelah melintasi atau korsleting - ", ada masalah di sini. Biarkan IGBT tutup dengan cepat dan aman.
Bagaimana sirkuit ini dapat diimplementasikan? Untuk rangkaian inverter, kita dapat menggunakan resistansi sampel secara langsung, atau metode deteksi penurunan tekanan tabung VCE juga dapat digunakan. Ada banyak diskusi di forum ini, tetapi tidak ada sirkuit pengujian yang benar-benar digunakan, benar-benar diterapkan, (pengecualian chip drive khusus), karena setiap aplikasi sebenarnya tidak sama Misalnya, parameter IGBT berbeda, ada banyak parameter yang perlu disesuaikan, dan pengalaman tertentu diperlukan untuk menyesuaikan.
Kita bisa mulai dari cara yang paling sederhana, menggunakan resistansi untuk mendeteksi arus ini, hubung singkat, dapat menghasilkan penurunan tekanan, komparator dan tegangan ini, menghasilkan aliran pamungkas atau sinyal hubung singkat.
Anda dapat menggunakan gambar ini, karena prinsipnya sangat sederhana, akan sangat mudah untuk mencapainya, Anda dapat menyesuaikannya tanpa berapa banyak parameter yang dapat disesuaikan.
Gambar diatas adalah arus sampling h bridge, contoh : jika IGBT adalah 40A, kita dapat mengambil arus puncak, yaitu 80A, sesuai dengan di atas, RS 0.01R, jika arus pulsa melebihi 80A maka Tegangan 0.01R * 80A = 0.8V dihasilkan pada resistor ini. Setelah R11 dan C11 menyalahkan terminal + komparator, dibandingkan dengan tegangan referensi dari--terminal, resistor referensi ujung-ujung tidak benar, sebenarnya Selain itu, dalam contoh ini, contoh ini dapat digunakan untuk memutar ke 0.81V hingga akhir, dan jika tegangan pada resistor pengambilan sampel RS melebihi 0.8V, komparator diputar ke level SD 5V. Di sirkuit eksternal. Sinyal level dari perubahan ini adalah sinyal yang kita butuhkan untuk menggunakan arus lebih hubung singkat.
Dengan sinyal ini, bagaimana cara kita mematikan IGBT? Kita bisa melihat apakah situasinya membutuhkan soft shutdown atau melakukan hard shutdown langsung.
Ambil soft shutdown, secara efektif dapat mencegah kasus di mana tegangan meningkat pada saat tertutup, properti penutupan sangat lembut, sangat lembut, sangat cocok untuk sirkuit penggerak daya tinggi bertegangan tinggi.
Jika hard shutdown dapat menyebabkan overshoot tegangan pada DC tekanan tinggi, seperti tekanan tinggi DC400V pada gambar pertama dapat menjadi seketika menjadi DC600V. Saat itu, saya melihat beberapa informasi di rekaman, sangat sulit untuk dipahami: Hubungannya tertutup, apakah ada tekanan tinggi? Situasi sebenarnya adalah benar.
Kalau susah paham bisa tes, ada menara air di keluarga, clearel, menara air ada di atas, kran ada di lantai satu, buka kran, airnya tinggal, lalu tutup keran ini dengan kecepatan yang sangat cepat, Anda akan mendengar pipa air memiliki suara, dan pipa air harus bergetar (tidak tahu hak untuk mengatakan, tolong "perkenalkan faucet, contoh ini, saya harus berterima kasih kepada guru saya, guru melihat kita terlalu bodoh, berbicara triode Metafora karakteristik karakteristik, saya ingin berterima kasih padanya di sini), IGBT sama di sirkuit jembatan. Ketika IGBT sangat pendek, jika kuda sulit untuk menutup IGBT, itu hanya akan menyebabkan tegangan induksi pada busbar (untuk mengapa Anda dapat memeriksa informasi yang relevan, banyak informasi dikatakan), pipa dapat menahan masa lalu, seperti Anda memiliki kapasitor serap yang sangat baik pada jalur bus bertekanan tinggi DC, ada beberapa sirkuit penyerapan, dll. ...
Jika tabung dimatikan, itu akan menjadi tidak valid. Hal ini juga tidak berguna. IGBT masih akan korsleting oleh tekanan luapan, dan korsleting ini tidak ada cara untuk pulih, itu akan segera merusak banyak sirkuit. Terkadang tidak ada tegangan lebih juga dapat menyebabkan fenomena ini. Prinsip kegagalan ini tidak diketahui, tetapi dapat dibayangkan bahwa itu mungkin karena kapasitansi parasit lain dan kapasitor Miller yang terkait dengan tabung, atau karena arus lebih Ketika sinyal hubung singkat terjadi, IGBT telah mengalami efek mesin, dan hubungan itu tidak mati.
Ada juga cara ketiga, yang disebut: Penutupan sekunder, cara ini sederhana, terdeteksi korsleting, sinyal arus lebih, PWM pulsa ini tidak merencanakan soft shutdown atau shutdown, tetapi segera Tegangan pulsa drive VGE yang sesuai dikurangi menjadi sekitar 8V untuk menentukan apakah masih overcurrent atau short-circuit, jika masih gunakan driver 8V ini, sampai waktu yang ditentukan, seperti beberapa US US, atau dalam hal ini Off, jika ya, PWM akan kembali normal . Metode ini umumnya berbeda, jadi kami tidak melakukan penelitian mendalam.
Memahami ini, kita dapat melihat situasi untuk secara khusus mengadopsi cara-cara itu, saya pikir di dalamnya di tingkat 2kw, DC380V, langsung mengambil hard shutdown, dapat memenuhi persyaratan, hanya perlu kapasitor yang baik di jembatan-H secara paralel. Anda dapat menggunakan 600V IGBT.
Poin kuncinya adalah mendeteksi dengan cepat, setelah pengujian, perlu dimatikan dengan cepat, hanya saja cepat, IGBT tidak akan terbakar.
produk kami yang lain:
